RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
19.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3832
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link