RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3392
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link