RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3587
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link