RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3963
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link