RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    30 left arrow 42
    Около -40% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 9.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.7 left arrow 6.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 30
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.7 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.0 left arrow 13.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1396 left arrow 3254

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
модули RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
модули RAM