RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
42
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
33
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3041
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link