RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2690
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link