RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
14.6
Скорость записи, Гб/сек
6.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2427
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link