RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3498
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link