RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
42
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
18.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3149
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link