RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3112
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link