RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
47
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
47
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
11.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2362
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link