RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2633
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link