RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2913
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link