RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2981
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link