RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
50
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
50
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2512
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link