RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
86
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
86
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1658
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link