RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3052
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link