RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2575
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link