RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3095
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link