Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Avexir Technologies Corporation T 4GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation T 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 42

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 21
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 18.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2150 2801

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

Avexir Technologies Corporation T 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology C 8GB

Crucial Technology C 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

модули RAM