RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3458
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link