RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2418
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link