RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
71
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
71
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
1813
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link