RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3540
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link