RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3899
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link