Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

16 42

Около -163% меньшая задержка
Выше скорость чтения

22.3 10.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

21.2 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 16
Скорость чтения, Гб/сек

10.6 22.3
Скорость записи, Гб/сек

7.8 21.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2150 3952

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

Kingston KVR26N19D8/16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB

модули RAM