RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2104
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link