RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2104
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link