RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
64
Около 34% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
64
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2065
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link