RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Kingston 9905622-025.A01G 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2515
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link