RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.5
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
46
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
12.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2325
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link