RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB против Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
1771
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link