OCZ OCZ2V8002G 2GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

-->

Средняя оценка

OCZ OCZ2V8002G 2GB

OCZ OCZ2V8002G 2GB

Средняя оценка

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

OCZ OCZ2V8002G 2GB

Причины выбрать
OCZ OCZ2V8002G 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 13.7

Среднее значение в тестах

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.9 1,823.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

OCZ OCZ2V8002G 2GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,789.6 13.7
Скорость записи, Гб/сек

1,823.3 6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

799 2312

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

OCZ OCZ2V8002G 2GB

OCZ OCZ2V8002G 2GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB

Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N

модули RAM

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7CFR8C

AMD R744G2133U1S 4GB

AMD R744G2133U1S 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

Kingston 9905700-017.A00G 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

Kingston 9905630-007.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

модули RAM