RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
35
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3429
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link