Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 35

Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.3 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 25
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 17.3
Скорость записи, Гб/сек

9.6 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 3404

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

Kingston 9905702-017.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM