RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2898
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link