RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3505
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link