RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3925
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM3X1G1600C9DHX 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link