RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3559
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link