RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2902
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link