RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
35
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
33
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2851
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link