RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2748
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link