RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link