Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 35

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.7 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 18.5
Скорость записи, Гб/сек

9.6 13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 3202

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM