RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
11.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2062
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link