RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3061
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link