RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3061
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link