RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2955
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link