RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2542
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link