RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2714
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link