RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingston 9905678-027.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2724
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link